مدلینگ سلف مجتمع در تکنولوژی cmos
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده مهندسی برق
- نویسنده محبوبه صالح آبادی
- استاد راهنما هومن نبوتی
- سال انتشار 1392
چکیده
سلف مجتمع یک المان ضروری در طراحی مدارهای مجتمع فرکانس رادیویی می¬باشد. در کاربردهای فرکانس بالا ضریب کیفیت یکی از مهم¬ترین پارامترها در تعیین شایستگی مدار است. سلف هم یک المان موثر در تعیین ضریب کیفیت و فرکانس کاری مدار به شمار می¬رود و طراحی آن باید همانند دیگر المان¬های پسیو در مدار مورد توجه باشد. در میان انواع سلف مجتمع، سلف اسپیرال به طور رایج به کار می¬رود. به همین دلیل مطالعه¬ی پارامترها، روش¬های بهینه سازی و بالا بردن ضریب کیفیت آن از جمله موضوعات مهم در طراحی مدارهای مجتمع می¬باشد. با توجه به مطالب فوق، این مجموعه به بررسی سلف¬های اسپیرال و روش¬های بهتر کردن عملکرد آن در فرکانس¬های کاری متفاوت می-پردازد. از طرف دیگر مدار معادل سلف با استفاده از المان¬های فشرده¬ی rlc یک ابزار لازم در طراحی و تعیین رفتار سلف بوده و به طور چشم گیر زمان محاسبه را کاهش می دهد. با استفاده از یک مدار معادل دقیق می¬توان رفتار سلف را در فرکانس¬های کاری مختلف ودر تکنولوژی ساخت و تاثیر عوامل پارازیتیک روی آن بررسی کرد. به همین دلیل در ادامه تعدادی مدار معادل که در فرکانس¬های مختلف ارائه شده¬اند معرفی می¬شوند. پس از تکمیل همه¬ی این مراحل سلف مجتمع بطور عملی در یک مدار کاربردی در نظر گرفته شد. سپس رفتار آن در فرکانس کاری مدار بررسی و بهترین ساختار در سلف برای عملکرد مطلوب بهینه سازی شد. در نهایت روابطی هم با دقت کافی برای محاسبه¬ی پارامترهای مدل سلف در ساختار بهینه پیشنهاد شد.
منابع مشابه
تولید سلول استاندارد بهینه در تکنولوژی cmos استاتیک
ساخت یک مدار مجتمع با سطح کمتر، علاوه بر کاهش هزینۀ ساخت لازم، اغلب منجر به اثرات مثبتی در کاهش توان مصرفی و افزایش قدرت پردازش می شود. برای ساخت یک مدار مجتمع که قابلیت انجام یک تابع منطقی را داشته باشد و در عین حال مساحت کمتری اشغال کند، باید بتوان آن تابع منظقی را در تکنولوژی cmos با نفوذ پیوسته ساخت. برای این کار باید مسیر اویلر پیوسته ای برای آن تابع منطقی به دست آورد. هر انفصال در ناحیۀ ن...
متن کاملروش های بهبود ضریب کیفیت سلف های cmos
در این گزارش ابتدا به بررسی مدار معادل و المانهای معادل سلف خواهیم پرداخت و سپس عملکرد سلفهای cmos، انواع مختلف سلفهای مجتمع و توپولوژی های مختلف ساخت سلف مورد بحث قرار خواهند گرفت. تکنولوژیهای مختلف ساخت سلف از قبیلmems ،gaas، soi cmos، vlsi cmos و چندین روش برای بهبود ضریب کیفیت سلف نیز معرفی شده است. در مدارات مجتمع، به سلف داخل تراشه با ضریب کیفیت بالا و فرکانس خود رزونانس بالا نیاز است؛ د...
15 صفحه اولطراحی مدار شارژپمپ در تکنولوژی cmos
این گزارش در مورد انواع شارژپمپ ها که برای ایجاد ولتاژ بالاتر استفاده می شوند و پارامترهای اساسی آنها توضیح می دهد. در نهایت در مورد بازده و ریپل ولتاژ شارژپمپ طراحی شده بحث می شود. ریپل ولتاژ پایین برای بسیاری از مدارات جزو پارامترهای مهم می باشد. اگر ریپل ولتاژ خروجی بسیار بزرگ باشد، عملکرد شارژپمپ که تامین توان می باشد، تنزل پیدا می کند.پارامتر مهم دیگر بازده می باشد. شارژپمپ با بازده پایین،...
15 صفحه اولطراحی مدار مجتمع خروجی یک سیستم اتوماسیون صنعتی با استفاده از تکنولوژی cmos
هدف از اجرای این پروژه، طراحی پورت خروجی سیستم های اتوماسیون صنعتی بصورت مجتمع است . با توجه به عملکرد سیستم، از طبقات مختلفی چون latch، مبدل دیجیتال با انالوگ ، دیکودر و بافر خروجی بهره بردیم. در طراحی مبدلهای دیجیتال به انالوگ در سیستمهای اتوماسیون، تا حد امکان سعی نموده ایم تا سرعت عملکرد آن بالا باشد چرا که در صورت تهیه مبدلهای با سرعتهای بالا، می توان از آنها جهت سرویس دادن به چندین کانال ...
15 صفحه اولمدارات شکاف باند انرژی در تکنولوژی cmos
بلوک تغذیه ازجمله بخشهای مهم واساسی هرتراشه مجتمع امروزی میباشد . درحالت کلی، ازرگولاتورهای ولتاژخطی، به منظورتغذیه بخش آنالوگ سیستم که ازحساسیت بیشتری نسبت به نویز برخورداراست، همچنین برای تولید یک ولتاژخروجی پایدار و دقیق در وسایل قابل حمل، استفاده میشود. در اینگونه مدارات بدون توجه به اندازه ولتاژ ورودی، جریان خروجی، دمای محیط ونویز تزریق شده از سوی مدارهای دیگر میتوانند ولتاژخروجی پاید...
طیف گسترده ای طیفی تک فوتون بهمن دیود در ۶۵nm ریزتر استاندارد cmos تکنولوژی اجرا
این مقاله به بررسی خواص نوری یک دیود بهمنی تک فوتون با بازه جذب وسیع ساخته شده در فن آوری سیماس استاندارد 65 نانومتری می پردازد. بازه وسیع جذب نور به علت استفاده مستقیم از زیرلایه بدون تعریف لایه ناخالصی اضافه بدست آمده است. بالاتر بودن ضریب یونیزاسیون ایمپکت الکترون نسبت به حفره سبب افزایش احتمال آشکارسازی فوتون در طول موجهای بالا (قرمز و مادون قرمز نزدیک) می شود. داشتن احتمال آشکارسازی کمتر ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده مهندسی برق
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023